リニアアンプ RF POWER LDMOS FET MRFE6VP100H
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リニアアンプ RF POWER LDMOS FET MRFE6VP100H
整理していたらまた出てきました。
ストック品を放出します。
以下、前回出品時の説明文と同じです。
freescale社製(現NXP社現行生産中)50V系のLDMOSです。
1.8M～2GHzまでの100Wクラスの出力ステージに使えます。
また、最大飽和パワーは落ちますが、インピーダンス変換比を少なくし、Aクラスの深いバイアスを掛けて1～500MHz程度の広帯域、高IMDポストアンプなんて使い方も面白いですね。
今までかなり使用してきましたが評価から製品出荷まで破損したことがなく使いやすい印象です。
高い周波数までのびているので、ゲート周りの発振防止や適切なバイアス回路を組んで使ってください。
使いやすい耳つきセラミックパッケージ品です。
この電力ならば、ソース端子の放熱はシリコングリスで十分対応できます。商品の情報
| カテゴリー | その他 > その他 |
|---|---|
| 商品の状態 | 新品、未使用 |
リニアアンプ RF POWER LDMOS FET MRFE6VP100H
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